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IXFN160N30T
200
Fig. 7. Input Admittance
300
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
180
160
250
140
120
T J = 125oC
25oC
200
25oC
- 40oC
100
150
125oC
80
60
40
20
0
100
50
0
3.0
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
5.8
6.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 150V
300
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 80A
I G = 10mA
100
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
50
1
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
50
100
150
200
250
300
350
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
Ciss
R DS( on ) Limit
25μs
10,000
1,000
Coss
100
10
T J = 150oC
100μs
100
Crss
1
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_160N30T (9E)03-23-09
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